Arsenieto de gálio

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style="background: #Predefinição:Chembox fundo; text-align: center;" colspan="2" | Arsenieto de gálio Alerta sobre risco à saúde
Nome IUPAC	Arsenieto de gálio
style="background: #Predefinição:Chembox fundo; text-align: center;" colspan="2" | Propriedades
Fórmula molecular	GaAs
Massa molar	144.645 g/mol
Aparência	Cristais cúbicos cinzentos
Densidade	5.316 g/cm3
Ponto de fusão	1238 °C (1511 K)
Solubilidade em água	< 0.1 g/100 ml (20 °C)
Gap de energia	1.424 eV (300 K)
Índice de refracção (nD)	3.3
style="background: #Predefinição:Chembox fundo; text-align: center;" colspan="2" | Estrutura
Estrutura cristalina	Zinc Blende
Grupo de espaço	T2d-F-43m
Geometria de coordenação	Tetraedro
Forma molecular	Linear
style="background: #Predefinição:Chembox fundo; text-align: center;" colspan="2" | Riscos associados
MSDS	External MSDS
Classificação UE	Tóxico (T) Perigoso ao meio ambiente (N)
NFPA 704	1 3 2 W
Frases R	Predefinição:R23/25, Predefinição:R50/53
Frases S	S1/2, Predefinição:S20/21, S28, S45, S60, S61
style="background: #Predefinição:Chembox fundo; text-align: center;" colspan="2" | Compostos relacionados
Compostos relacionados	Arsenieto de alumínio e gálio Arsenieto de índio e gálio Fosfeto de arsenieto de gálio
style="background: #Predefinição:Chembox fundo; text-align: center;" colspan="2" | Página de dados suplementares
Estrutura e propriedades	n, εr, etc.
Dados termodinâmicos	Phase behaviour Solid, liquid, gas
Dados espectrais	UV, IV, RMN, EM
style="background: #Predefinição:Chembox fundo; text-align: center;" colspan="2" | Exceto onde denotado, os dados referem-se a materiais sob condições normais de temperatura e pressão Referências e avisos gerais sobre esta caixa. Alerta sobre risco à saúde.

Arsenieto de gálio é composto químico sintético, de fórmula mínima GaAs. É material semicondutor de interesse da indústria eletrônica/informática, muito utilizado na construção de circuitos integrados.

O arsenieto de gálio é obtido na forma de lâminas, a partir da combinação dos elementos químicos constituintes, arsênio e gálio, e permite, segundo a Revista da Siemens, a fabricação dos chips mais rápidos do mundo, os quais, embora mais caros do que os que utilizam substrato de apenas silício, são muito mais velozes na transmissão de informações, além de possibilitar uma redução significativa nos tamanhos dos equipamentos.