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Uma '''EEPROM''' (de '''''E'''lectrically-'''E'''rasable '''P'''rogrammable '''R'''ead-'''O'''nly '''M'''emory'') é um ''[[chip]]'' de [[armazenamento não-volátil]] usado em [[computador]]es e outros aparelhos. | esse tipo de memoria é usados também em fuscas e estojos Uma '''EEPROM''' (de '''''E'''lectrically-'''E'''rasable '''P'''rogrammable '''R'''ead-'''O'''nly '''M'''emory'') é um ''[[chip]]'' de [[armazenamento não-volátil]] usado em [[computador]]es e outros aparelhos. | ||
Ao contrário de uma memória programável apagável somente de leitura ([[EPROM]]), uma EEPROM pode ser programada e apagada várias vezes, eletricamente. Pode ser lida um número ilimitado de vezes, mas só pode ser apagada e programada um número limitado de vezes, que variam entre as 100.000 e 1 milhão. Esse limite é causado pela contínua deterioração interna do ''chip'' durante o processo de apagamento que requer uma tensão elétrica mais elevada. Como cada novo dado gravado no ''chip'' requer o apagamento do anterior, considera-se apagamento e gravação como uma só operação, porém seria possível gravar o mesmo endereço de memória um bit de cada vez, fazendo então oito gravações com um só prévio apagamento. Entretanto a maioria das memórias EEPROM faz o apagamento do conteúdo do endereço automaticamente antes da gravação. A [[memória flash]] é uma variação moderna da EEPROM, mas existe na indústria uma convenção para reservar o termo EEPROM para as memórias de escrita bit a bit, não incluindo as memórias de escrita bloco a bloco, como as memórias flash. As EEPROM necessitam de maior área que as memórias flash, porque cada célula geralmente necessita de um [[transistor]] de leitura e outro de escrita, ao passo que as células da memória flash só necessitam de um. | Ao contrário de uma memória programável apagável somente de leitura ([[EPROM]]), uma EEPROM pode ser programada e apagada várias vezes, eletricamente. Pode ser lida um número ilimitado de vezes, mas só pode ser apagada e programada um número limitado de vezes, que variam entre as 100.000 e 1 milhão. Esse limite é causado pela contínua deterioração interna do ''chip'' durante o processo de apagamento que requer uma tensão elétrica mais elevada. Como cada novo dado gravado no ''chip'' requer o apagamento do anterior, considera-se apagamento e gravação como uma só operação, porém seria possível gravar o mesmo endereço de memória um bit de cada vez, fazendo então oito gravações com um só prévio apagamento. Entretanto a maioria das memórias EEPROM faz o apagamento do conteúdo do endereço automaticamente antes da gravação. A [[memória flash]] é uma variação moderna da EEPROM, mas existe na indústria uma convenção para reservar o termo EEPROM para as memórias de escrita bit a bit, não incluindo as memórias de escrita bloco a bloco, como as memórias flash. As EEPROM necessitam de maior área que as memórias flash, porque cada célula geralmente necessita de um [[transistor]] de leitura e outro de escrita, ao passo que as células da memória flash só necessitam de um. |
Edição das 11h23min de 18 de setembro de 2014
Este artigo não cita fontes confiáveis. (Dezembro de 2010) |
Predefinição:Portal de eletrônica Predefinição:Tipos de memória esse tipo de memoria é usados também em fuscas e estojos Uma EEPROM (de Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory) é um chip de armazenamento não-volátil usado em computadores e outros aparelhos.
Ao contrário de uma memória programável apagável somente de leitura (EPROM), uma EEPROM pode ser programada e apagada várias vezes, eletricamente. Pode ser lida um número ilimitado de vezes, mas só pode ser apagada e programada um número limitado de vezes, que variam entre as 100.000 e 1 milhão. Esse limite é causado pela contínua deterioração interna do chip durante o processo de apagamento que requer uma tensão elétrica mais elevada. Como cada novo dado gravado no chip requer o apagamento do anterior, considera-se apagamento e gravação como uma só operação, porém seria possível gravar o mesmo endereço de memória um bit de cada vez, fazendo então oito gravações com um só prévio apagamento. Entretanto a maioria das memórias EEPROM faz o apagamento do conteúdo do endereço automaticamente antes da gravação. A memória flash é uma variação moderna da EEPROM, mas existe na indústria uma convenção para reservar o termo EEPROM para as memórias de escrita bit a bit, não incluindo as memórias de escrita bloco a bloco, como as memórias flash. As EEPROM necessitam de maior área que as memórias flash, porque cada célula geralmente necessita de um transistor de leitura e outro de escrita, ao passo que as células da memória flash só necessitam de um.
Tecnologias mais novas como FRAM e MRAM estão aos poucos substituindo as EEPROMs em algumas aplicações.