Magnetoresistive Random Access Memory

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM, em português, memórias magnetorresistivas de acesso aleatório) são um tipo de memórias de computador não-voláteis (NVRAM) que têm sido desenvolvidas desde a década de 1990.

Estas memórias ainda estão em fase de teste e possbilitariam que por exemplo: Você iniciasse seu computador sem ter que esperar pelo boot. Ele ligaria exatamente do modo que parou e sem ter de esperar por toda a inicialização. Mas ainda há problemas quanto a dados que se corrompem muito facilmente. Talvez em mais uns 10 ou 15 anos, será a sucessora da eventual DDR.